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J-GLOBAL ID：201302258878138386   整理番号：13A1087390

電気めっきしたCu膜に及ぼすCuシード層の影響

Effect of a Cu seed layer on electroplated Cu film

著者 (4件)： PAN Yan (State Key Lab. of Tribology, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN) ,  LIU Yuhong (State Key Lab. of Tribology, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN) ,  WANG Tongqing (State Key Lab. of Tribology, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN) ,  LU Xinchun (State Key Lab. of Tribology, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 105  ページ： 18-24  発行年： 2013年05月 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の厚さのCu膜をCuシード層の上に電気めっきした。種々の厚さのCuシード層をTa障壁層上にスパッタした;Cuシード層の厚さはスパッタ時間を変化することにより変えた。電気めっきしたCu膜の性能に及ぼすCuシード層の影響を調査するために,電気めっきしたCu膜の形態,粒子サイズ,結晶方位,および機械的と化学的特性について,本論文で述べた。Cuシード層の厚さが増すにつれて,粒子サイズは増加し,表面形態は,平坦から粗く,さらに滑らかに変化した。Cuシード層の基板への接着性は,Cuシード層の厚さの増加とともに増加したが,最終的には減少した。電気めっきしたCu膜が堆積された後,電気めっきされた膜の形態,粒子サイズおよび結晶方位は,シード層により著しく影響された。電気めっきしたCu膜の硬度は,Cuシード層の厚さとともに増加し,最後に一定の値に到達した。Cu膜と基板との間の接着性は,膜の形態に示されるようにCuシード層により影響された。Cu膜は粗さ値が高い時に腐蝕耐性が少ない。Cuシード層が150nmの時に,より良好な機械的および化学的特性が得られた。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *電気めっき ,  *銅 ,  *金属薄膜 ,  *下層 ,  スパッタリング ,  腐食 ,  *結晶構造 ,  結晶粒度 ,  結晶方位 ,  表面粗さ ,  *粘着力 ,  *耐食性 ,  電着 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  原子間力顕微鏡 ,  接着強さ
準シソーラス用語： シード層

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電気めっき ,  Cu ,  シード層