文献

J-GLOBAL ID：201302259089196653   整理番号：13A1087229

メタルゲート/ZrN/Zr傾斜Dy₂O₃/Si MISナノ積層構造の電気および物理特性に与えるZrN拡散防止キャッピング層の効果

The effect of ZrN antidiffusion capping layer on the electrical and physical properties of metal-gate/ZrN/Zr-graded Dy₂O₃/Si MIS nanolaminated structures

著者 (5件)： JUAN P.c. (Dep. of Materials Engineering and Center for Thin Film Technologies and Applications, Ming Chi Univ. of Technol. ...) ,  LIU C.h. (Dep. of Mechatronic Technol., National Taiwan Normal Univ., Taipei 106, Taiwan) ,  LIN C.l. (Dep. of Electronic Engineering, Feng Chia Univ., Taichung 407, Taiwan) ,  MONG F.c. (Dep. of Materials Engineering and Center for Thin Film Technologies and Applications, Ming Chi Univ. of Technol. ...) ,  HUANG J.h. (Dep. of Materials Engineering and Center for Thin Film Technologies and Applications, Ming Chi Univ. of Technol. ...)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 109  ページ： 172-176  発行年： 2013年09月 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZrNキャッピング層あり無しでナノフィルムDy₂O₃:ZrとDy₂O₃のゲート酸化膜積層を製作した。電気的物理的特性を550~850°CのPMA温度範囲で比較した。フラットバンド電圧シフトはアニーリング温度を上げるにつれて減少した。それは酸化膜電荷トラップの減少を意味し,特にZrNキャッピング層があるMIS構造で顕著である。Ti,O,Dy原子のZrN層からのアウトディフュージョンが少ないために誘電率が高くなる。原子パーセンテージをX線光電子スペクトルの深さプロファイルで調べた。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ジルコニウム化合物 ,  窒化物 ,  X線光電子分光法 ,  X線回折 ,  電圧 ,  酸化膜 ,  容量電圧特性 ,  *MIS構造 ,  酸化ジスプロシウム ,  *電気特性 ,  物理的性質 ,  *拡散障壁
準シソーラス用語： XPS ,  XRD ,  ゲート酸化膜 ,  フラットバンド電圧 ,  *窒化ジルコニウム ,  物理特性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： メタルゲート ,  Zr ,  Dy2O3 ,  Si ,  MIS ,  積層構造 ,  物理特性 ,  拡散防止 ,  キャッピング層