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J-GLOBAL ID：201302259630846747   整理番号：13A0953272

JFETに基づく電荷前置増幅器の雑音スペクトル密度(固有寄与および照射寄与)の抽出

Extraction of noise spectral densities(intrinsic and irradiation contributions) of a charge preamplifier based on JFET

著者 (1件)： ASSAF J. (Atomic Energy Commission, P.O. Box 6091, Damascus, Syria)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 53  号： 5  ページ： 712-717  発行年： 2013年05月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： JFET(接合形電界効果トランジスタ)に基づく電荷前置増幅器のRMS電圧雑音を実験的に研究し,そのデータをいくつかのJFET雑音源モデルに当てはめる。実験曲線とシミュレーション曲線とが最も良く一致したモデルに従って,電流雑音および電圧雑音のスペクトル密度を抽出する。固有雑音源およびガンマ線/中性子照射後に生じる雑音源を解析する。各雑音源の寄与および全スペクトル密度も報告する。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 接合形FET ,  *前置増幅器 ,  雑音特性 ,  *スペクトル密度 ,  *雑音解析 ,  シミュレーション ,  曲線あてはめ ,  放射線照射 ,  実効値
準シソーラス用語： 雑音スペクトル ,  電荷増幅器

分類 (2件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  雑音測定  (ND04030F)

タイトルに関連する用語 (6件)： JFET ,  電荷 ,  前置増幅器 ,  雑音 ,  スペクトル密度 ,  固有