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J-GLOBAL ID：201302259721182566   整理番号：13A1682582

低周波数雑音によるペンタセントランジスタにおける厚み依存電荷輸送の理解

Understanding Thickness-Dependent Charge Transport in Pentacene Transistors by Low-Frequency Noise

著者 (9件)： XU Yong (NIMS, Ibaraki, JPN) ,  LIU Chuan (NIMS, Ibaraki, JPN) ,  SCHEIDELER William (Duke Univ., NC, USA) ,  LI Songlin (NIMS, Ibaraki, JPN) ,  LI Wenwu (NIMS, Ibaraki, JPN) ,  LIN Yen-Fu (NIMS, Ibaraki, JPN) ,  BALESTRA Francis (Grenoble-INP, Grenoble, FRA) ,  GHIBAUDO Gerard (Grenoble-INP, Grenoble, FRA) ,  TSUKAGOSHI Kazuhito (NIMS, Ibaraki, JPN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 34  号： 10  ページ： 1298-1300  発行年： 2013年10月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ペンタセンOFETの電荷輸送メカニズムの基本的な問題は明らかになっていない。本稿では,ペンタセン膜厚み依存の電荷輸送について低周波雑音の観点から観察して報告した。電荷輸送と相関を持つペンタセン成長の動特性を理解するために,低周波数雑音は独自の観点を提供する。AFM観察を組み合わせることによって,ペンタセン膜の厚みに起因する雑音発生が成長相の推移を明らかにし,大きく変化する移動度がよくわかる。トップコンタクト効果があるために,コンタクトの調査はコンタクトトラップの非常に高い密度を明らかにした。本研究結果が,コンタクト形成の間の,自由表面の適切な取扱いと半導体膜の保護がトランジスタ性能の最適化に重要であることを明確に示した。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  低周波雑音 ,  依存性 ,  *原子間力顕微鏡 ,  *素子構造 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： AFM【顕微鏡】 ,  トップコンタクト構造 ,  厚み依存性 ,  *低周波数雑音 ,  *電荷輸送 ,  *有機トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (6件)： 低周波数雑音 ,  ペンタセン ,  トランジスタ ,  厚み ,  電荷輸送 ,  理解