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J-GLOBAL ID：201302260564465964   整理番号：13A1087226

NH₃プラズマ処理したHfO₂/SiO₂ゲート誘電体積層のゼロ界面双極子誘起閾値電圧シフト

Zero interface dipole induced threshold voltage shift of HfO₂/SiO₂ gate dielectric stacks with NH₃ plasma treatment

著者 (5件)： WANG Jer-chyi (Dep. of Electronic Engineering, Chang Gung Univ., Kwei-Shan 333, Tao-Yuan, Taiwan) ,  CHEN Chia-hsin (Dep. of Electronic Engineering, Chang Gung Univ., Kwei-Shan 333, Tao-Yuan, Taiwan) ,  LIU Hsiang-yu (Dep. of Electronic Engineering, Chang Gung Univ., Kwei-Shan 333, Tao-Yuan, Taiwan) ,  LIN Chih-ting (Dep. of Electronic Engineering, Chang Gung Univ., Kwei-Shan 333, Tao-Yuan, Taiwan) ,  LU Hsin-chun (Dep. of Chemical and Materials Engineering, Chang Gung Univ., Kwei-Shan 333, Tao-Yuan, Taiwan)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 109  ページ： 120-122  発行年： 2013年09月 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HfO₂/SiO₂ゲート誘電体積層の界面双極子効果を低減するための,界面SiO₂へのNH₃プラズマ処理を提案する。HfO₂膜のバンドダイアグラムを確立するためにX線光電子分光(XPS)と紫外可視分光(UV-VIS)を使用した。X線回折(XDR)で調べたHfO₂の正方結晶化相はNH₃プラズマ処理時のバンドギャップ増加の原因である。Schottky放出とFowler-Nordheim(F-N)トンネリングを使ってAl/HfO₂ゲート積層の実効電子障壁高さが決定出来る。このように,異なるNH₃プラズマ処理条件のAl/HfO₂/SiO₂/p-Si構造の,界面双極子とFermiレベルピニングで誘起されるフラットバンド電圧シフトが得られる。HfO₂/SiO₂ゲート誘電体積層のゼロ双極子界面を達成するには,HfO₂と窒化酸化膜間の酸素イオンの動きが無視できるので,約4分のNH₃プラズマ処理で充分なことがわかった。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 誘電体 ,  双極子 ,  Fermi準位 ,  ピン止め ,  アンモニア ,  *プラズマ処理 ,  酸化ハフニウム ,  酸化膜 ,  電圧変動 ,  電圧 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： Fermiレベル ,  *ゲート誘電体 ,  ピニング ,  フラットバンド電圧 ,  *界面双極子 ,  高k誘電体 ,  *閾値電圧シフト

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： NH3 ,  プラズマ処理 ,  HfO2 ,  SiO2 ,  ゲート誘電体 ,  界面双極子 ,  誘起 ,  閾値電圧シフト