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J-GLOBAL ID:201302261147244366   整理番号:13A1317568

正孔ドープ銅酸化物高温超伝導体におけるバンド内電荷励起の共鳴非弾性X線散乱研究

Resonant inelastic x-ray scattering study of intraband charge excitations in hole-doped high-Tc cuprates
著者 (16件):
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巻: 87  号: 10  ページ: 104511.1-104511.7  発行年: 2013年03月 
JST資料番号: D0746A  ISSN: 1098-0121  CODEN: PRBMDO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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様々な正孔ドーピング濃度持つ銅酸化物高温超伝導体,La2-xSrxCuO4,La2-xBaxCuO4,La2-xSrxCu1-yFeyO4,Bi1.76Pb0.35Sr1.89CuO6+δに対して行ったCuのK端付近の共鳴非弾性X線散乱(RIXS)実験について報告する。これらの試料は,過少ドープ領域から過剰ドープ領域までの幅広い範囲をカバーしている。解析は,特に,バンド内電荷励起に着目して行った。8.993keVのX線を用いたRIXS測定からは,これらの試料がストライプ状の秩序状態にもかかわらず,すべての試料について,RIXS強度は,(0,0)で最小を,(±0.4π,0)と(0,±0.4π)で最大を取ることがわかった。このことから,この励起はストライプ構造と直接関係がないことがわかった。一方,金属性のLa1.7Sr0.3CuO4とBi1.76Pb0.35Sr1.89CuO6+δに対して9.003keVのX線を用いて行ったRIXS測定では,電子ドープNd1.85Ce0.15CuO4で観測されたのと同様な分散の強いバンド間励起を観測した。これは,正孔ドープ系において初めての観測例であり,電子ドープ系と正孔ドープ系の両系は,同様な動的な電荷相関関数を持つ証拠を与える結果でもある。
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分類 (1件):
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酸化物系超伝導体の物性 

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