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J-GLOBAL ID：201302262992083092   整理番号：13A1773553

引上げ速度減速による珪素融液成長時の格子間結晶内部及び成長界面上の空格子点の創生

Creations of vacancy on growth interface and of interstitial inside crystal during silicon melt growth by decreasing pulling rate

著者 (3件)： ABE Takao (Shin-Etsu Handotai, Gunma, JPN) ,  TAKAHASHI Toru (Shin-Etsu Handotai, Gunma, JPN) ,  SHIRAI Koun (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Abstract. JSAP-MRS Joint Symposia (CD-ROM)  (Abstract. JSAP-MRS Joint Symposia (CD-ROM))
ページ： ROMBUNNO.18P-M4-13  発行年： 2013年 
JST資料番号： M20130006  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *融液成長 ,  *ケイ素 ,  *空格子点 ,  速度 ,  ウエハ【IC】
準シソーラス用語： 引上げ速度

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 引上げ速度 ,  減速 ,  珪素融液 ,  成長 ,  格子 ,  結晶 ,  界面 ,  空格子点