あらかじめ析出されたインクジェットブレンドによって容易にされた,2,8-ジフルオロ-5,11-ビス(トリエチルシリルエチニル)アントラジチオフェン高性能薄膜トランジスタ

HAN Jeong In; LIM Chang-Yoon; PAR Sung Kyu; KIM Yong-Hoon

文献

J-GLOBAL ID：201302263055082788 整理番号：13A0680663

あらかじめ析出されたインクジェットブレンドによって容易にされた,2,8-ジフルオロ-5,11-ビス(トリエチルシリルエチニル)アントラジチオフェン高性能薄膜トランジスタ

High-Performance 2,8-Difluoro-5,11-bis(triethylsilylethynyl) Anthradithiophene Thin-Film Transistors Facilitated by Predeposited Ink-Jet Blending

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資料名：
巻： 52 号： 3,Issue 1 ページ： 031601.1-031601.5 発行年： 2013年03月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

高性能で,インク-ジェットプリントされ,ポリマブレンドにより容易にされた,2,8-ジフルオロ-5,11-ビス(トリエチルシリルエチニル)アントラジチオフェン(diF-TESADT)有機薄膜トランジスタを報告する。diF-TESADT膜の膜形態と結晶構造は,おそらく限定された液滴域,したがって増加された分子間相互作用のために,すでに析出されたポリ(α-メチルスチレン)(PαMS)層に印刷することによって,大きく改善された。さらに,部分的な非濡れおよび不規則な膜形状の形成は効果的に制御され,あらかじめ析出された混合システムで均一かつ改善されたデバイス性能をもたらした。サブストレート温度と処理溶媒のような印刷パラメータの適切な最適化を通して,平均電界効果移動度0.34±0.13cm²V^-1s^-1(max 0.64cm²V^-1s^-1)および,サブ閾値傾斜0.456±0.090V decade^-1を持つdiF-TESADT TFTが達成された。(翻訳著者抄録)

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トランジスタ , 固体デバイス製造技術一般

引用文献 (24件)：

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