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J-GLOBAL ID：201302265718365137   整理番号：13A0827848

動的プログラミング手順を使ったPチャネル シリコン-酸化物-窒化物-酸化物-シリコン記憶装置に捕獲された電荷の分布の研究

Study Trapped Charge Distribution in P-Channel Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon Memory Device Using Dynamic Programming Scheme

著者 (9件)： LI Fu-Hai (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHIU Yung-Yueh (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LEE Yen-Hui (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHANG Ru-Wei (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  YANG Bo-Jun (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  SUN Wein-Town (eMemory Technol. Inc., Hsinchu, TWN) ,  LEE Eric (eMemory Technol. Inc., Hsinchu, TWN) ,  KUO Chao-Wei (eMemory Technol. Inc., Hsinchu, TWN) ,  SHIROTA Riichiro (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 4,Issue 2  ページ： 04CD01.1-04CD01.4  発行年： 2013年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究において,pチャンネル シリコン-酸化物-窒化物-酸化物-シリコン(SONOS)記憶装置中のチャネル熱正孔誘起熱電子注入(CHHIHE)の動的プログラミングにより,著者らは,SiN層中の電荷分布を正確に研究した。動的プログラミング手順において,ゲート電圧は,固定ステップ幅を持つ階段として増加するが,それはSiN層中の正孔注入を禁止することが出来た。三次元デバイスシミュレーションを補正し,測定したプログラミング特性と比較した。熱電子注入ポイントがドレインからソース側へ急速に横切り,SiN層中の荷電領域の拡大と同期していることを,初めて発見した。結果として,注入電荷は,短いプログラム期間中に,殆どチャネル領域全体にわたり均一に迅速に広がるが,これはベーキングによるトラップ電荷の横方向の拡散に対する大きな許容度を与えると推論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 記憶装置 ,  *不揮発性メモリ ,  素子構造 ,  酸化ケイ素 ,  窒化ケイ素 ,  ケイ素 ,  動的計画法 ,  計算機シミュレーション ,  電流電圧特性 ,  キャリア注入 ,  電圧
準シソーラス用語： *SONOSメモリ ,  SONOS構造 ,  ゲート電圧 ,  デバイスシミュレーション ,  正孔注入

分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

引用文献 (20件)：

• 1) B. Eitan, P. Pavan, I. Bloom, E. Aloni, A. Frommer, and D. Finzi: IEEE Electron Device Lett. 21 (2000) 543.
• 2) L. Avital, A. Padovani, L. Larcher, I. Bloom, R. Arie, P. Pavan, and B. Eitan: IEEE IRPS Tech. Dig., 2006, p. 534.
• 3) A. Shappir, D. Levy, Y. Shacham-Diamand, E. Lusky, I. Bloom, and B. Eitan: Solid-State Electron. 48 (2004) 1489.
• 4) E. Nowak, E. Vianello, L. Perniola, M. Bocquet, G. Molas, R. Kies, M. Gely, G. Ghibaudo, B. De Salvo, G. Reimbold, and F. Boulanger: Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 04DD12.
• 5) A. Furnemont, M. Rosmeulen, J. Van Houdt, H. Maes, and K. De Meyer: IEEE NVSMW Tech. Dig., 2006, p. 66.

タイトルに関連する用語 (11件)： 動的プログラミング ,  手順 ,  チャネル ,  シリコン ,  酸化物 ,  窒化物 ,  記憶装置 ,  捕獲 ,  電荷 ,  分布 ,  研究