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J-GLOBAL ID：201302265796409680   整理番号：13A1736861

1000nmを超える光電流応答波長を有する光起電装置用の低バンドギャップ高分子

Low band gap polymers for photovoltaic device with photocurrent response wavelengths over 1000nm

著者 (4件)： ZHOU Erjun (RIKEN Center for Emergent Matter Sci. (CEMS), 2-1 Hirosawa, Wako 351-0198, JPN) ,  HASHIMOTO Kazuhito (Dep. of Applied Chemistry, School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  TAJIMA Keisuke (RIKEN Center for Emergent Matter Sci. (CEMS), 2-1 Hirosawa, Wako 351-0198, JPN) ,  TAJIMA Keisuke (Japan Sci. and Technol. Agency (JST), Precursory Res. for Embryonic Sci. and Technol. (PRESTO), 4-1-8 Honcho ...)
資料名： Polymer  (Polymer)
巻： 54  号： 24  ページ： 6501-6509  発行年： 2013年11月14日 
JST資料番号： D0472B  ISSN： 0032-3861  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高分子太陽電池(PSC)の高電力変換効率(PCE)を追求するために,低バンドギャップを有する多くの新しい半導体高分子が,過去数年間に渡り開発されてきた。この観点での研究では,1000nmを超えて延びた光電流応答を有する超低バンドギャップ太陽光高分子に焦点を当てた。この種のマイクロメータ応答性高分子(μmR-高分子)は,太陽光照射による高分子の吸収スペクトルをよりよく一致させるために短絡電流(J_SC)を増加させることができ,またタンデム型太陽電池と透明太陽電池の応用に大きな可能性を示した。この種のμmR高分子の設計に必要な条件を議論した。さらに,残りの問題や課題,そして近い将来に重要な研究の方向が議論した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 応答 ,  *光起電素子 ,  光起電力効果 ,  高分子薄膜 ,  太陽電池 ,  *高分子半導体 ,  吸収スペクトル ,  光照射 ,  エネルギー変換効率 ,  電力変換 ,  バンドギャップ ,  *短絡電流 ,  導電性高分子
準シソーラス用語： 電流応答

分類 (2件)： 電池一般  (YB04010O) ,  太陽光発電  (NB03090G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 光電流 ,  応答 ,  波長 ,  バンドギャップ ,  高分子