SiCパワーデバイス高温応用のための焼結Ag<sub>80</sub>-Al<sub>20</sub>ダイアタッチナノペーストの信頼性

MANIKAM Vemal Raja; RAZAK Khairunisak Abdul; CHEONG Kuan Yew

文献

J-GLOBAL ID：201302266069988487 整理番号：13A0408695

SiCパワーデバイス高温応用のための焼結Ag₈₀-Al₂₀ダイアタッチナノペーストの信頼性

Reliability of sintered Ag₈₀-Al₂₀ die attach nanopaste for high temperature applications on SiC power devices

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巻： 53 号： 3 ページ： 473-480 発行年： 2013年03月
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

本研究の目的は,SiCパワーデバイスの高温応用に対するAg₈₀-Al₂₀焼結ダイアタッチナノペーストの適合性に関する信頼性解析を記すことである。ダイの背面メタライゼーション研究は,AgとAuが高温動作のためのSiCダイとAg₈₀-Al₂₀ダイアタッチ間の強い結合を形成する適切な候補であることを指摘している。焼結後のAg₈₀-Al₂₀ダイアタッチは焼結時のマイクロポア形成によって9.8GPaの低い弾性率を示す。これはまた硬度と剛性に影響してそれぞれ0.49GPaと30354.14N/mとしている。Ag₈₀-Al₂₀ダイアタッチ材料の電気伝導度は熱エージングの繰り返しを増やすと若干減少する。ダイアタッチ材料をエージングするにつれて電気的性能が低下するように見えるが,以前に示されているように構造は依然損なわれていない。この変質は有機金属システム組成そのものと,残留有機物の蒸発によって発生すると考えられる。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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固体デバイス材料 , 固体デバイス製造技術一般

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SiCパワーデバイス高温応用のための焼結Ag80-Al20ダイアタッチナノペーストの信頼性

SiCパワーデバイス高温応用のための焼結Ag₈₀-Al₂₀ダイアタッチナノペーストの信頼性