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J-GLOBAL ID：201302266403830237   整理番号：13A1077177

収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数

Focused ion beam Ga implantation into P-doped SOI layer and its Seebeck coefficient

著者 (6件)： 鈴木悠平 (静岡大 電子工研) ,  三輪一聡 (静岡大 電子工研) ,  SALLEH Faiz (日本学術振興会) ,  下村勝 (静岡大 電子工研) ,  石田明広 (静岡大 工) ,  池田浩也 (静岡大 電子工研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 113  号： 40(CPM2013 1-21)  ページ： 33-37  発行年： 2013年05月09日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Siナノワイヤを用いたサーモパイル型赤外線センサを作製するために,収束イオンビーム(FIB)によってn型SOI層へのGaイオン注入を行い,p型SOI層の作製を試みている。本研究では,平均のGa濃度が3×10¹⁸cm^-3と3×10¹⁹cm^-3のSOI試料を作製し,それらのゼーベック係数を測定した。その結果,熱起電力の符号が反転し,p型SOI層ができていることを確認した。測定したゼーベック係数を理論計算値と比較したところ,共ドープのSiの計算値では実験結果を再現することができなかった。これは,作製したp型SOI層内では,Ga濃度が分布を持つことが影響していると思われる。(著者抄録)

シソーラス用語： 集束イオンビーム ,  SOI構造 ,  ガリウム ,  イオン注入 ,  リン ,  ドーピング ,  *輸送係数 ,  *熱起電力 ,  ナノワイヤ ,  熱電対 ,  *赤外検出器 ,  *ケイ素 ,  濃度分布
準シソーラス用語： *N型シリコン ,  *P型シリコン ,  *Seebeck係数 ,  SOI基板 ,  ケイ素ナノワイヤ ,  サーモパイル

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (6件)： 収束イオンビーム ,  ドープ ,  SOI基板 ,  Gaイオン ,  注入 ,  ゼーベック係数