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J-GLOBAL ID：201302266876599338   整理番号：13A1774090

β-Ga₂O₃ヘテロ素子応用に対するβ-Al_2xGa_2-2xO₃薄膜

β-Al_2xGa_2-2xO₃ thin films for β-Ga₂O₃ hetero-device applications

著者 (8件)： OSHIMA Takayoshi (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  MUKAI Akira (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  SASAKI Kohei (Tamura Corp., Saitama, JPN) ,  MASUI Takekazu (KOHA Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  KURAMATA Akito (Tamura Corp., Saitama, JPN) ,  YAMAKOSHI Shigenobu (Tamura Corp., Saitama, JPN) ,  OHTOMO Akira (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  OHTOMO Akira (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Abstract. JSAP-MRS Joint Symposia (CD-ROM)  (Abstract. JSAP-MRS Joint Symposia (CD-ROM))
ページ： ROMBUNNO.20A-M6-8  発行年： 2013年 
JST資料番号： M20130006  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *酸化ガリウム ,  半導体素子 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  ドーピング ,  アルミニウム ,  MIS構造 ,  金 ,  X線回折 ,  結晶構造 ,  濃度依存性 ,  レーザ蒸着 ,  *バンドギャップ ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： 半導体ヘテロ接合

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： β-Ga2O3 ,  テロ ,  応用 ,  薄膜