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J-GLOBAL ID：201302268438350877   整理番号：13A1447058

硫化物処理をしたおよびしない無研磨p型Si表面のn型SnS接触の光起電特性

Photovoltaic properties of n-type SnS contact on the unpolished p-type Si surfaces with and without sulfide treatment

著者 (4件)： HUANG Chung-cheng (Inst. of Photonics, National Changhua Univ. of Education, Changhua 500, Taiwan) ,  LIN Yow-jon (Inst. of Photonics, National Changhua Univ. of Education, Changhua 500, Taiwan) ,  LIU Chia-jyi (Dep. of Physics, National Changhua Univ. of Education, Changhua 500, Taiwan) ,  YANG Yao-wei (Inst. of Photonics, National Changhua Univ. of Education, Changhua 500, Taiwan)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 110  ページ： 21-24  発行年： 2013年10月 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n型SnS(n-SnS)とp型Si(p-Si)に基づくヘテロ接合ダイオードの製作と電気的性質について報告した。n-SnS/無研磨p-Si太陽電池の電力変換効率(PCE)に及ぼすp-Siの硫化物処理の影響を調査した。硫化物処理を用いないn-SnS/無研磨p-Si素子は,1.6の理想因子(η)と高い直列抵抗(R_s)をもつ整流挙動を示した。しかしながら,40秒間硫化物処理をしたn-SnS/無研磨p-Siダイオードは,1.4のηと低いR_sをもつ整流挙動を示した。したがって,増強されたPCEは,素子の整流能力と界面の不動態化により説明できた。さらに,高効率の太陽電池を作るためには,適切な硫化物処理時間が重要な問題となることに注意した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  表面処理 ,  スズ化合物 ,  硫化物 ,  光起電力効果 ,  効率 ,  ケイ素
準シソーラス用語： 電力変換効率 ,  硫化スズ

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 硫化物 ,  研磨 ,  P型Si ,  SNS