文献

J-GLOBAL ID：201302268473117700   整理番号：13A1418985

モンテカルロシミュレーションを用いた勾配ゲートフィールドプレートAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの遅延時間解析

Delay Time Analysis of Graded Gate Field-Plate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Using Monte Carlo Simulation

著者 (4件)： HARA Kazuya (Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN) ,  TOSHIMA Takuya (Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN) ,  HARA Shinsuke (Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN) ,  FUJISHIRO Hiroki I. (Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 8,Issue 2  ページ： 08JN27.1-08JN27.4  発行年： 2013年08月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 勾配ゲートフィールドプレート(FP)AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)における遅延時間発生の機構を,モンテカルロシミュレーションを用いて研究した。勾配ゲートFPは,ドレインへ高い電場領域を広げることにより,ドレイン電圧による最大電場の増加を抑制した。しかし,FPとチャネルとの間の容量により誘起されるFP容量遅延時間に加えて,高い電場領域そのものの拡大が,上部谷の電子占有により誘起される電子蓄積遅延時間を増大させた。結局,FP角の増大につれて,固有カットオフ周波数f_Tは減少した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *HEMT ,  *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  *時間 ,  *シミュレーション ,  容量 ,  遮断周波数
準シソーラス用語： カットオフ周波数 ,  *フィールドプレート ,  *モンテカルロシミュレーション ,  *勾配ゲート ,  高電子移動度トランジスタ ,  *遅延時間 ,  *窒化ガリウムアルミニウム

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (15件)：

• W. Saito, M. Kuraguchi, Y. Takada, K. Tsuda, Y. Saito, I. Omura, and M. Yamaguchi: IEDM Tech. Dig., 2007, p. 869.
• Y. Ando, Y. Okamoto, H. Miyamoto, T. Nakayama, T. Inoue, and M. Kuzuhara: IEEE Electron Device Lett. 24 (2003) 289.
• S. Karmalkar and U. K. Mishra: IEEE Trans. Electron Devices 48 (2001) 1515.
• Y. Dora, A. Chakraborty, L. McCarthy, S. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra: IEEE Electron Device Lett. 27 (2006) 713.
• T. Nishida, R. Sakai, K. Shiojima, and M. Kuzuhara: Ext. Abstr. Top. Workshop Heterostructure Microelectronics, 2007, p. 83.

タイトルに関連する用語 (9件)： モンテカルロシミュレーション ,  勾配 ,  ゲート ,  フィールドプレート ,  AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  遅延時間 ,  解析