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J-GLOBAL ID:201302268756038130   整理番号:13A0363670

微小重力環境下における混晶半導体バルク結晶成長

Growth of InGaSb Alloy Semiconductor Bulk Crystals under Microgravity
著者 (5件):
資料名:
巻: 33  号: 12  ページ: 687-693 (J-STAGE)  発行年: 2012年 
JST資料番号: F0940B  ISSN: 0388-5321  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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本総説ではスペースシャトル,落下塔および中国回収衛星を用いて実施した微小重力実験を報告した。さらに,国際宇宙ステーションにおける微小重力実験のための実験計画を紹介した。スペースシャトル実験から,自由溶融表面を持つ宇宙成長試料は殆どが球状で,Marangoni対流が溶融混合を強化することが分かった。一方,自由溶融表面を持たない溶融混合は拡散に制御された。落下実験において高速CCDを用いてCCDカメラin situ観察を行った。中国の回収可能な衛星を用いて,微小重力InxGa1-xSbの溶解及び結晶化に関する微小重力研究をGaSb(III)A/InSb/GaSb(III)Bのサンドイッチ型組み合わせで実施した。溶液中の固/液界面および組成プロファイルの形は重力によって著しい影響を受けることが明確に実証された。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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半導体の結晶成長 
引用文献 (36件):
  • 1) 石川正道,日比谷孟俊: “マイクログラビティ” (倍風館,1994).
  • 2) 藤森義典: “人類は宇宙へむかう” (オーム社,1995).
  • 3) J.F. Yee, M.C. Lin, K. Sarma and M.R. Wilcox: J. Cryst. Growth 300, 185 (1975).
  • 4) I. Martinez and A. Eyer: J. Cryst. Growth 75, 535 (1986).
  • 5) A.N. Danilewsky and K.W. Benz: J. Cryst. Growth 97, 571 (1990).
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