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J-GLOBAL ID：201302269321400535   整理番号：13A1533059

ゲルマニウム-スズ(Ge_1-xSn_x)を越えたゲルマニウムの高選択性ドライエッチング Ge_1-xSn_xナノ構造作製のための新しい道

Highly Selective Dry Etching of Germanium over Germanium-Tin (Ge_1-xSn_x): A Novel Route for Ge_1-xSn_x Nanostructure Fabrication

著者 (7件)： GUPTA Suyog (Stanford Univ., California, USA) ,  CHEN Robert (Stanford Univ., California, USA) ,  HUANG Yi-Chiau (Applied Materials Inc., California, USA) ,  KIM Yihwan (Applied Materials Inc., California, USA) ,  SANCHEZ Errol (Applied Materials Inc., California, USA) ,  HARRIS James S. (Stanford Univ., California, USA) ,  SARASWAT Krishna C. (Stanford Univ., California, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 13  号： 8  ページ： 3783-3790  発行年： 2013年08月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン(001)基板上に減圧CVDによりゲルマニウム犠牲層,その上にゲルマニウム-スズ(Ge_1-xSn_x)のエピタキシャル薄膜を堆積し,CF₄ガスによるドライエッチングをRFプラズマ中で行い,応力を誘起している下層のGe犠牲層を選択的に除去し,応力の無い直接バンドギャップを持ったGe_0.92Sn_0.08薄膜を得た。SEM,XRD,XPSを用いてRFパワー及びガス圧の最適化を行い,Raman分光とマイクロ光ルミネセンスにより,得られたGe_1-xSn_x薄膜に構造損傷及び応力が無いこと,そして直接バンドギャップを得たことを確かめた。

シソーラス用語： *ゲルマニウム合金 ,  *スズ含有合金 ,  *薄膜 ,  *ドライエッチング ,  選択性 ,  化学蒸着 ,  プラズマ ,  X線光電子分光法 ,  Raman分光法 ,  光ルミネセンス ,  応力 ,  バンドギャップ ,  ゲルマニウム ,  ナノ構造 ,  フロン
準シソーラス用語： CVD【化学蒸着】 ,  RFプラズマ ,  エネルギーバンドギャップ ,  *エピタキシャル膜 ,  マイクロ光ルミネセンス

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： 四ふっ化炭素

タイトルに関連する用語 (7件)： ゲルマニウム ,  スズ ,  高選択性 ,  ドライエッチング ,  ナノ構造 ,  作製 ,  道