光電子回折にる はげ落ちたグラフェンの端と積み重ね構造の評価

MATSUI Fumihiko; ISHII Ryo; MATSUDA Hiroyuki; MORITA Makoto; KITAGAWA Satoshi; MATSUSHITA Tomohiro; KOH Shinji; KOH Shinji; DAIMON Hiroshi

文献

J-GLOBAL ID：201302269543557050 整理番号：13A1936925

光電子回折にるはげ落ちたグラフェンの端と積み重ね構造の評価

Characterizing Edge and Stacking Structures of Exfoliated Graphene by Photoelectron Diffraction

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資料名：
巻： 52 号： 11,Issue 1 ページ： 110110.1-110110.5 発行年： 2013年11月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

はげ落ちたグラフェン薄片と結晶性黒鉛の二次元 C 1s光電子強度分布(PIADs)と,スペクトルを集束ソフトX線ビームを使って測った。厚さ9-nmの SiO₂薄膜上にはげ落ちたグラフェン薄片を機械的に移動した後にRaman スペクトロ顕微鏡を使った厚み評価によって適当なグラフェン試料を選んだ。あらゆるPIADで,特に明らかに単層グラフェンPIADでカゴメ干渉縞を観察した。その起源は,面内C-Cボンド・ハニカム格子によって形成された回折リングの重なりである。このように,各々の試料の結晶配向を決定できた。二重層グラフェンの場合,PIADは三倍対称形であり, 一方,単層グラフェンと結晶性黒鉛のPIADは6倍対称形だった。これは,二重層グラフェンの積み重ね構造による。多重散乱PIADシミュレーション結果との比較から,二重層グラフェン薄片の端領域での終端タイプと共に積み層重ね方法を決定した。さらに,二重層グラフェンのトップとボトム層に対応する2つの異なるC 1sコアレベルを確認した。ボトム層のための0.25eVの,より高い結合エネルギーへの化学シフトは界面相互作用に帰された。(翻訳著者抄録)

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炭素とその化合物

引用文献 (28件)：

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光電子回折にる はげ落ちたグラフェンの端と積み重ね構造の評価

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