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J-GLOBAL ID：201302269711916109   整理番号：13A1806758

圧力で生じる極性半導体BiTeBrでのトポロジカル相転移

著者 (9件)： 大村彩子 (新潟大) ,  樋口雄一郎 (新潟大 大学院) ,  落合崇幸 (新潟大 理) ,  加納学 (東京工大 応用セラミックス研) ,  中山敦子 (新潟大) ,  石川文洋 (新潟大 理) ,  山田裕 (新潟大 理) ,  中野智志 (物質・材料研究機構) ,  笹川崇男 (東京工大 応用セラミックス研)
資料名： 高圧討論会講演要旨集  (Abstracts. HPCJ)
巻： 54th  ページ： 66  発行年： 2013年10月30日 
JST資料番号： L1222A  ISSN： 0917-6373  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *半導体 ,  *極性 ,  *テルル化物 ,  *臭化物 ,  *ビスマス化合物 ,  *相転移 ,  位相幾何学 ,  *圧力効果 ,  結晶構造 ,  電気抵抗率 ,  温度依存性 ,  *金属-絶縁体転移
準シソーラス用語： トポロジカル相転移 ,  極性半導体 ,  絶縁体-金属相転移

分類 (3件)： 金属-絶縁体転移  (BM02110T) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (2件)： 極性半導体 ,  トポロジカル相転移