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J-GLOBAL ID：201302270428483288   整理番号：13A0052728

シリコンの貫通via中の低誘電率ライナーの集積と熱機械的応力の開放

Integration of Low-κ Dielectric Liner in Through Silicon Via and Thermomechanical Stress Relief

著者 (9件)： GHOSH Kaushik (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  ZHANG Jiye (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  ZHANG Lin (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  ZHANG Lin (A*STAR, Singapore) ,  DONG Yuanwei (Univ. British Columbia, BC, CAN) ,  LI Hongyu (A*STAR, Singapore) ,  TAN Cher Ming (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  XIA Guangrui (Univ. British Columbia, BC, CAN) ,  TAN Chuan Seng (Nanyang Technological Univ., Singapore)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 5  号： 12  ページ： 126601.1-126601.3  発行年： 2012年12月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 貫通Si via(TSV)は,誘電性ライナーで分離された銅(Cu)の芯からなる。銅とシリコンとの熱膨張係数の不整合によって生じる熱機械的ストレスは,機械的信頼性と電気的なバラツキにおいて重大な課題である。通常のライナー(二酸化シリコン)を低誘電率のライナー(炭素添加二酸化シリコン)に置き換えたときの熱機械応力への効果を調べた。Cu-TSV直近のシリコンの二軸性ストレスが,弾性定数の小さい低誘電率のライナーを用いると29.45%緩和されることが,顕微ラマンで観測された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  *スルーホール ,  *誘電材料 ,  *銅 ,  熱膨張係数 ,  熱応力 ,  弾性係数 ,  顕微Raman分光法
準シソーラス用語： *シリコン基板 ,  *貫通孔 ,  弾性定数 ,  *低誘電率材料

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

引用文献 (17件)：

• LU, J.-Q. Proc. IEEE. 2009, 97, 18
• KNICKERBOCKER, J. U. IBM J. Res. Dev. 2008, 52, 553
• VAN DER PLAS, G. IEEE J. Solid-State Circuits. 2011, 46, 293
• THOMPSON, S. E. IEEE Trans. Electron Devices. 2006, 53, 1010
• TRIGG, A. D. Appl. Phys. Express. 2010, 3, 086601

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  低誘電率 ,  ライナー ,  集積 ,  機械的応力