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J-GLOBAL ID：201302270888206223   整理番号：12A1796353

中性ビーム酸化膜を用いた高性能の歪Geチャネルデバイスの開発

Development of High Performance Strained-Ge Channel Device Utilizing Neutral-beam Oxidized Film

著者 (6件)： SAWANO Kentarou (Tokyo City Univ., Tokyo, JPN) ,  WATANABE Masato (Tokyo City Univ., Tokyo, JPN) ,  KOMATSU Arata (Tokyo City Univ., Tokyo, JPN) ,  NOHIRA Hiroshi (Tokyo City Univ., Tokyo, JPN) ,  WADA Akira (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SAMUKAWA Seiji (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Proceedings of the International Symposium on Advanced Fluid Information and Transdisciplinary Fluid Integration  (Proceedings of the International Symposium on Advanced Fluid Information and Transdisciplinary Fluid Integration)
巻： 12th  ページ： 128-129  発行年： 2012年 
JST資料番号： L3687A  ISSN： 1344-2236  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *中性粒子ビーム ,  酸化膜 ,  ゲルマニウム ,  *MBE成長 ,  歪 ,  半導体素子 ,  実験
準シソーラス用語： 中性ビーム

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 中性ビーム ,  酸化膜 ,  高性能 ,  歪 ,  Ge ,  チャネル ,  開発