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J-GLOBAL ID：201302271590241138   整理番号：13A1616324

欠陥を導入したグラファイト表面でのアンモニア分子吸着特性

著者 (7件)： 渋谷陸 (筑波大) ,  櫻井雅崇 (筑波大) ,  齋藤慶彦 (筑波大) ,  川原井圭一 (筑波大) ,  近藤剛弘 (筑波大) ,  近藤剛弘 (JST-さきがけ) ,  中村潤児 (筑波大)
資料名： 触媒討論会討論会A予稿集  (触媒討論会(A)講演予稿集)
巻： 112th  ページ： 412  発行年： 2013年09月11日 
JST資料番号： S0874A  ISSN： 1343-9936  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 欠陥を有するグラファイト表面には,局在化した電子状態がフェルミ準位近傍の非占有側に現れることを当研究室は報告してきた。この準位がルイス酸点としては振る舞うと考え,Arイオン衝撃でHOPG表面に欠陥を導入し,その表面でのNH₃吸着特性を昇温脱離法およびHe原子線散乱法によって計測した。その結果,NH₃は欠陥まわりの炭素に弱く化学吸着することがわかった。(著者抄録)

シソーラス用語： *格子欠陥 ,  *高配向性熱分解グラファイト ,  *表面 ,  *アンモニア ,  *吸着 ,  *Lewis酸 ,  *電子状態 ,  界面化学 ,  アルゴンビーム ,  イオン衝突 ,  原子散乱 ,  ヘリウム ,  昇温脱離 ,  炭素材 ,  *表面構造 ,  Fermi準位
準シソーラス用語： イオン衝撃

分類 (4件)： 触媒反応一般  (CB06080F) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： 欠陥 ,  グラファイト ,  アンモニア ,  分子 ,  吸着特性