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J-GLOBAL ID：201302272402368670   整理番号：13A0833935

熱酸化しAu沈殿したn型Si(001)表面のAuによる触媒作用によるAu/SiインタフェイスのAuナノクラスタの直接観察と強化したSiO₂成長

Direct Observation of Au Nanoclusters at Au/Si Interface and Enhanced SiO₂ Growth Due to Catalytic Action by Au in Thermally Oxidized Au-Precipitated n-Type Si(001) Surfaces

著者 (3件)： SHIMIZU Hirofumi (Nihon Univ., Fukushima, JPN) ,  KUMAMOTO Akihito (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  IMAMURA Senji (Nihon Univ., Fukushima, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 4,Issue 1  ページ： 041802.1-041802.7  発行年： 2013年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Au/n-SiインタフェイスのAuナノクラスタの挙動を研究した。特に,熱酸化Au-沈殿n型Si(001)表面でのSiO₂成長はAuの触媒作用によって強化した。Au沈殿したSiウエハーを30日間 室温(RT)で空気にさらしたとき,SiO₂薄膜層がAuナノクラスタ上にSi表面で成長した。これは,おそらくSi原子が堆積したままのAu層において拡散し,空中の室温で酸化される からである。より高い温度 850°Cで30分 酸化の場合,Auナノクラスタは,Au/n-Siインタフェイスに存在することを見つけた。さらに,原子間力顕微鏡によって観察した隆起の起源は,Auナノクラスタ上に形成したSiO₂薄膜のふくらみであることを見つけ,SiO₂薄膜層の成長がAuの触媒作用によって強化したことを証明した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 熱酸化 ,  *金 ,  沈殿 ,  *ケイ素 ,  二酸化ケイ素 ,  ナノクラスタ ,  挙動 ,  N型半導体 ,  触媒 ,  成長

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (35件)：

• 1) For an excellent review, see A. Cros and P. Murei: Sci. Rep. 8 (1992) 271
• 2) A. Hiraki, E. Luguijo, and J. W. Mayer. J. Appl. Phys. 43 (1972) 3643
• 3) A. K. Green and E. Bauer: J. Appl. Phys. 47 (1976) 1284
• 4) A. K Green and E. Bauer. J. Appl. Phys. 52 (1981) 5098.
• 5) A. Cros, F. Salyvan, M. Commadre, and J. Derrien Surf. Sci. 103 (1981) L109

タイトルに関連する用語 (10件)： 熱酸化 ,  Au ,  沈殿 ,  Si ,  触媒作用 ,  インタフェイス ,  ナノクラスタ ,  強化 ,  SiO2 ,  成長