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J-GLOBAL ID：201302273316178287   整理番号：13A1290101

W(CO)₆とC₁₄H₁₀の混合物から堆積したタングステン-炭化物ナノ細線における超伝導

Superconductivity in Tungsten-Carbide Nanowires Deposited from the Mixtures of W(CO)₆ and C₁₄H₁₀

著者 (8件)： DAI Jun (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  DAI Jun (Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN) ,  ONOMITSU Koji (Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN) ,  KOMETANI Reo (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KROCKENBERGER Yoshiharu (Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN) ,  YAMAGUCHI Hiroshi (Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN) ,  ISHIHARA Sunao (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  WARISAWA Shin’ichi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 7,Issue 1  ページ： 075001.1-075001.5  発行年： 2013年07月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 集束イオンビーム化学的気相成長(FIB-CVD)によりタングステン-炭化物(W-C)ナノ細線を堆積した。C₁₄H₁₀とW(CO)₆の混合物を前駆体とし用いた。ある前駆体比の場合に,我々のナノ細線は超伝導状態になり,5.8Kと高いT_cをもっていた。また,FIB-CVDにより自立的W-Cナノピラーを成長させた。混合物からの蒸着の成長速度は,W(CO)₆を前駆体として用いた場合よりせいぜい4.25倍高速であった。この成長速度は3次元超伝導構造の作製を大幅に容易にする。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： カルボニル錯体 ,  タングステン錯体 ,  混合物 ,  *集束イオンビーム ,  *化学蒸着 ,  *ナノワイヤ ,  *タングステン化合物 ,  *炭化物 ,  *超伝導 ,  ナノ構造 ,  柱 ,  成長速度 ,  電気抵抗率 ,  炭化水素
準シソーラス用語： ナノピラー

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  その他の超伝導体の物性  (BM04025Q)

引用文献 (26件)：

• 1) C. P. Foley and H. Hilgenkamp: Supercond. Sci. Technol. 22 (2009) 064001.
• 2) K. K. Berggren, E. M. Macedo, D. A. Feld, and J. P. Sage: IEEE Trans. Appl. Supercond. 9 (1999) 3271.
• 3) F. C. Wellstood, J. J. Kingston, and J. Clarke: J. Appl. Phys. 75 (1994) 683.
• 4) I. Utke, P. Hoffmann, and J. Meingailis: J. Vac. Sci. Technol. B 26 (2008) 1197.
• 5) S. Matsui and K. Mori: J. Vac. Sci. Technol. B 4 (1986) 299.

タイトルに関連する用語 (7件)： CO ,  混合物 ,  堆積 ,  タングステン ,  炭化物 ,  ナノ細線 ,  伝導