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J-GLOBAL ID：201302273945131854   整理番号：13A0081346

大電力インパルスマグネトロンスパッタリング(HiPIMS)過程における堆積速度の増強

Enhancement of he deposition rate in high-power impulse magnetron sputtering (HiPIMS) process

著者 (3件)： YUKIMURA Ken (AIST) ,  YUKIMURA Ken (HIT) ,  YUKIMURA Ken (SWJTU)
資料名： 電気学会プラズマ研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： PST-12  号： 85-90.92-95.98-106  ページ： 49-52  発行年： 2012年12月10日 
JST資料番号： Z0951A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大電力グロー放電を用いた表面改質は,産業目的のための有望な物理気相蒸着(PVD)技術である。プラズマに大電力を入力することにより10¹⁸m^-3より大きい金属イオン密度を得ることができる。大電力インパルスマグネトロンスパッタリング(HIPIMS)を用いSi(100)基板にチタン薄膜及び炭素薄膜を蒸着した。堆積速度を増強するため,MSプラズマを生成するためのパルス幅,電源電圧及びパルスの反復率を変えた。堆積速度は電気特性と相関した。これらのパラメータを変えることにより,堆積速度が極端に大きくなることを見出した。マグネトロンスパッタリングプラズマ中において消費される平均電力と堆積速度との比例関係から期待される場合より,堆積速度は2~3倍大きかった。高堆積速度は増加した電力消費及び熱スパイクにより生成された熱に起源があるように見えた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *マグネトロンスパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  堆積速度 ,  *薄膜成長 ,  *チタン ,  金属薄膜 ,  パルス幅 ,  電力消費 ,  熱スパイク ,  プラズマ生成 ,  炭素
準シソーラス用語： 蒸着速度 ,  炭素薄膜 ,  電源電圧

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

引用文献 (3件)：

• [1] e.g., U.Helmerssen, M.Lattermann, J.Bohlmark, A.P.Ehiasarian, J.T.Gudmundsson, Thin Solid Films, 513 (2006) 1-24.
• [2] R.Y.Chau, W-S Ho, J.C.Wolfe, D.L.Licon, Thin Solid Films, 287 (1996) 57-64.
• [3] R.Behrisch, W.Eckstein, Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B, 82 (1993) 255-258.

タイトルに関連する用語 (7件)： 大電力 ,  インパルス ,  マグネトロンスパッタリング ,  HiPIMS ,  過程 ,  堆積速度 ,  増強