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J-GLOBAL ID：201302274033068449   整理番号：12A1812141

リアルタイム光電子分光によるグラフェン・オン・ダイヤモンド形成過程の観察

Observation of Graphene-on-Diamond Formation Studied by Real-Time Photoelectron Spectroscopy

著者 (8件)： 小川修一 (東北大学 多元物質科学研究所) ,  山田貴壽 ((独)産業技術総合研究所 ナノチューブ応用研究センター) ,  石塚眞治 (秋田工業高等専門学校 物質工学科) ,  渡辺大輝 (東北大学 多元物質科学研究所) ,  吉越章隆 ((独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門) ,  長谷川雅孝 ((独)産業技術総合研究所 ナノチューブ応用研究センター) ,  寺岡有殿 ((独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門) ,  高桑雄二 (東北大学 多元物質科学研究所)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 33  号： 8  ページ： 449-454 (J-STAGE)  発行年： 2012年 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁体構造上のグラフェン構造はグラフェントランジスタの製造に必要である。ダイヤモンドは,それが大きなバンドギャップを有し,SiCと比較して電圧を絶縁するため,グラフェン成長用の基板として注目されている。ダイヤモンド構造上のグラフェン(GOD)の非破壊評価が難しかったので,ダイヤモンド表面上の黒鉛化の詳細はまだ明らかにされていない。本検討では,バンドの曲がりに起因する光電子スペクトルのシフトに焦点を合わせてシンクロトロン放射光を用いた光電子分光法に基づくGODの評価方法を開発した。明らかにSiC基板上の温度よりも低い,約1120KとしてダイヤモンドC(111)表面上の黒鉛化温度を決定することができた。またC 1S光電子スペクトルから,グラフェン層とダイヤモンド基板との界面に緩衝層が存在する,ことを確認した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭素材 ,  単一層 ,  *ダイヤモンド状炭素 ,  絶縁材料 ,  基板 ,  *実時間処理 ,  *光電子分光法 ,  *エネルギー損失 ,  *シンクロトロン放射 ,  紫外線 ,  過程 ,  黒鉛化 ,  バンド構造 ,  光電子スペクトル ,  スペクトルシフト ,  反応温度 ,  バッファ層 ,  温度依存性 ,  価電子バンド ,  *グラフェン ,  絶縁体
準シソーラス用語： *シンクロトロン放射光電子分光法 ,  バンド曲がり ,  バンド絶縁体 ,  価電子帯 ,  緩衝層 ,  形成過程 ,  *真空紫外光電子分光法

分類 (4件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  反応操作(単位反応)  (XE01040I) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  電子分光法  (BK01050P)

引用文献 (19件)：

• NOVOSELOV, K. S. Science. 2004, 306, 666
• SATO, M. Jpn. J. Appl. Phys. 2012, 51, 04DB01
• TAKABAYASHI, S. Diamond Relat. Mater. 2012, 22, 118
• YAMANDA, T. Carbon. 2012, 50, 2615
• TAKAMI, T. e-J. Surf. Sci. Nanotechnol. 2009, 7, 882

タイトルに関連する用語 (4件)： リアルタイム ,  光電子分光 ,  形成過程 ,  観察