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J-GLOBAL ID：201302274077188450   整理番号：13A0048469

低出力RFIC用の最適設計した中程度に反転した二重ゲートSOI MOSFET

Optimally designed moderately inverted double gate SOI MOSFETs for low-power RFICs

著者 (4件)： GHOSH Dipankar (Indian Inst. of Technol. (IIT), Indore, IND) ,  PARIHAR Mukta Singh (Indian Inst. of Technol. (IIT), Indore, IND) ,  ARMSTRONG G Alastair (Queen’s Univ. Belfast, Belfast, GBR) ,  KRANTI Abhinav (Indian Inst. of Technol. (IIT), Indore, IND)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 27  号： 12  ページ： 125004,1-8  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： SOI構造 ,  *MOSFET ,  *ゲート【半導体】 ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  *最適設計 ,  線形性 ,  性能指数 ,  感度解析
準シソーラス用語： *二重ゲート

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低出力 ,  RFIC ,  最適設計 ,  反転 ,  二重ゲート ,  SOI ,  MOSFET