エピタキシャル蒸着と湿式化学腐食液を用いた酸化皮膜のリソグラフィ構造形成の反復処理によって製作された可変抵抗器

WEBER Dieter; VOEFELY Roza; CHEN Yuehua; MOURZINA Yulia; POPPE Ulrich

文献

J-GLOBAL ID：201302275203401179 整理番号：13A1282972

エピタキシャル蒸着と湿式化学腐食液を用いた酸化皮膜のリソグラフィ構造形成の反復処理によって製作された可変抵抗器

Variable resistor made by repeated steps of epitaxial deposition and lithographic structuring of oxide layers by using wet chemical etchants

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資料名：
巻： 533 ページ： 43-47 発行年： 2013年04月30日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

可変抵抗器を,ペロブスカイト結晶構造を持つエピタキシャルSrRuO₃(SRO),La_0.67Sr_0.33MnO₃3(LSMO)およびSrTiO₃層から作製した。各層は,リソグラフィ法によって別々にパターン形成された。最適化した化学腐食液と研磨処理は,良好な次の配向成長を可能にした。SROに対する酸化剤としての過ヨウ素酸塩およびLSMOに対する還元剤としてのアスコルビン酸を持つヨウ化物が,これらの耐薬品性酸化物を腐食するために用いられた。最終的なデバイスは,それらの導伝率を以前に記述されたシャドウマスクによって決まる可変レジスタに類似な仕方で変化した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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固体デバイス一般 , 固体デバイス製造技術一般 , 記憶装置

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