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J-GLOBAL ID：201302275507946171   整理番号：13A0722049

4°および8°斜軸基板上での高電圧4H-SiC PiNダイオードの開発

Development of High-Voltage 4H-SiC PiN Diodes on 4° and 8° Off-Axis Substrates
著者 (8件)：
OKAMOTO Dai

OKAMOTO Dai について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について

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TANAKA Yasunori

TANAKA Yasunori について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について

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MATSUMOTO Norio

MATSUMOTO Norio について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について

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MIZUKAMI Makoto

MIZUKAMI Makoto について

(Toshiba Corp., Kanagawa, JPN)

Toshiba Corp., Kanagawa, JPN について

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OTA Chiharu

OTA Chiharu について

(Toshiba Corp., Kanagawa, JPN)

Toshiba Corp., Kanagawa, JPN について

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TAKAO Kazuto

TAKAO Kazuto について

(Toshiba Corp., Kanagawa, JPN)

Toshiba Corp., Kanagawa, JPN について

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FUKUDA Kenji

FUKUDA Kenji について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について

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OKUMURA Hajime

OKUMURA Hajime について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について


資料名：
Materials Science Forum  (Materials Science Forum)

Materials Science Forum について


巻： 740/742  ページ： 907-910  発行年： 2013年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)
タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
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高電圧

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4H-SiC

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PINダイオード

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開発

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