KIM Sanghyeon について
Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN について
YOKOYAMA Masafumi について
Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN について
NAKANE Ryosho について
Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN について
ICHIKAWA Osamu について
Sumitomo Chemical Co. Ltd., 6 Kitahara, Tsukuba, Ibaraki 300-3294, JPN について
OSADA Takenori について
Sumitomo Chemical Co. Ltd., 6 Kitahara, Tsukuba, Ibaraki 300-3294, JPN について
HATA Masahiko について
Sumitomo Chemical Co. Ltd., 6 Kitahara, Tsukuba, Ibaraki 300-3294, JPN について
TAKENAKA Mitsuru について
Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN について
TAKAGI Shinichi について
Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN について
Journal of Applied Physics について
ヒ化ガリウムインジウム について
超薄膜 について
格子歪 について
MOS構造 について
MOSFET について
SOI構造 について
チャネル について
キャリア移動度 について
キャリア密度 について
伝導バンド について
表面準位 について
接合 について
化合物半導体 について
半導体薄膜 について
ウエハ【IC】 について
ウエハ接合 について
シリコン基板 について
電子移動度 について
二軸ひずみ について
金属-絶縁体-半導体構造 について
半導体薄膜 について
絶縁体 について
二軸歪 について
薄層 について
Si基板 について
酸化物 について
電界効果トランジスタ について
電子移動度 について
物理 について
理解 について