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J-GLOBAL ID：201302277786837053   整理番号：13A1439289

セリウムイオンを注入した陰極線ルミネセンス光源用アモルファス窒化シリコン薄膜

Amorphous silicon nitride thin films implanted with cerium ions for cathodoluminescent light source

著者 (10件)： CHIBA Akito (Fac. of Engineering, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8561, JPN) ,  CHIBA Akito (JST-CREST, 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8561, JPN) ,  TANAKA Shinnosuke (Fac. of Engineering, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8561, JPN) ,  INAMI Wataru (JST-CREST, 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8561, JPN) ,  INAMI Wataru (Div. of Global Res. Leaders, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8561, JPN) ,  SUGITA Atsushi (Fac. of Engineering, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8561, JPN) ,  SUGITA Atsushi (JST-CREST, 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8561, JPN) ,  TAKADA Kazumasa (Graduate school of Engineering, Gunma Univ., 1-5-1 Tenjin-cho, Kiryu, Gunma 376-8515, JPN) ,  KAWATA Yoshimasa (Fac. of Engineering, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8561, JPN) ,  KAWATA Yoshimasa (JST-CREST, 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8561, JPN)
資料名： Optical Materials  (Optical Materials)
巻： 35  号： 11  ページ： 1887-1889  発行年： 2013年09月 
JST資料番号： W0468A  ISSN： 0925-3467  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： セリウムイオンをアモルファス窒化シリコン薄膜に注入し,その薄膜の陰極線ルミネセンス(CL)を研究した。Ceイオンはアモルファス窒化シリコンの表面から約20nmの深さの範囲に分布しており,薄膜中で3種のカチオンを形成している。Ceイオンを注入することによって,薄膜のCLは波長405nmの周囲に分布した。25kV電子ビーム励起において,窒化シリコン薄膜と比べて2.2倍以上のCL増加が観測された。この増加はセリウムイオン注入後に高温アニーリングプロセスを適用することで大幅に増強された。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *イオン注入 ,  *セリウム ,  *窒化ケイ素 ,  *陰極線ルミネセンス ,  非晶質半導体 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  可視発光スペクトル ,  深さ分布 ,  電子ビーム
準シソーラス用語： 窒化シリコン

分類 (3件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： セリウムイオン ,  注入 ,  陰極線 ,  ルミネセンス光源 ,  アモルファス ,  窒化 ,  シリコン薄膜