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J-GLOBAL ID：201302278129403996   整理番号：13A0776920

水素と水の分析

著者 (1件)： 籔本周邦 (分析工房)
資料名： 真空ジャーナル  (Journal of Japan Vacuum Industry Association)
号： 144  ページ： 11-15  発行年： 2013年04月15日 
JST資料番号： L8030A  ISSN： 1883-1052  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高真空でのシリコン表面での水素と水の分析では,赤外線吸収,質量分析計,X線光電子分光による酸素の吸着エネルギのケミカルシフトの測定が用いられ,それらの概要を述べた。ついで,シリコンウェハに対する昇温脱離分析法(TDS)による成分分析,水素,水,酸素の挙動観察,降温時の観察,薄膜中の水の検出法について説明した。さらに,電子励起イオン脱離法(ESD)X線光電子分光法(XPS)による分析も解説した。

シソーラス用語： *水素 ,  *水 ,  光吸収 ,  質量分析計 ,  X線光電子分光法 ,  ケイ素 ,  酸素 ,  昇温脱離 ,  ウエハ【IC】 ,  *高真空 ,  *分析機器 ,  半導体プロセス
準シソーラス用語： 成分分析 ,  赤外線吸収

分類 (4件)： 分析機器  (CC02020S) ,  分光分析  (CC03012W) ,  質量分析  (CC03013N) ,  真空技術  (BA02020L)

引用文献 (8件)：

• 1) T. Takahagi, 1. Nagai, A. lshida, H. Kuroda and Y Nagasawa J. Appl.Phys., 64, 3516 (1988) .
• 2) 上田一之;J.Vac.Soc.Jpn.,Vo1.53,602(2010).
• 3) K. Ueda and K. Ogai, Surface Science 462, 1 (2001) .
• 4) N. Yabumoto, K. Saito, M. Morita and T. Ohmi ; Jpn. J. App1. Phys., 30,L419 (1991) .
• 5) 長田尚理、高萩隆行他;応用物理学関係連合講演会講演予稿集44(2),812(1997) .

タイトルに関連する用語 (3件)： 水素 ,  水 ,  分析