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J-GLOBAL ID：201302279156248273   整理番号：13A0146790

プラズマCVDで作製した環境セル装備透過型電子顕微鏡用非晶質SiCNダイアフラム

Amorphous SiCN diaphragm for transmission electron microscope with environmental-cell fabricated by plasma-enhanced chemical vapor deposition

著者 (5件)： MATSUTANI Takaomi (Kinki Univ., 3-4-1 Kowakae, Higashi-osaka, Osaka 577-8502, JPN) ,  YAMASAKI Kayo (Kinki Univ., 3-4-1 Kowakae, Higashi-osaka, Osaka 577-8502, JPN) ,  TSUTSUI Hidenori (Kinki Univ., 3-4-1 Kowakae, Higashi-osaka, Osaka 577-8502, JPN) ,  MIURA Takuya (Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, JPN) ,  KAWASAKI Tadahiro (Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, JPN)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 88  ページ： 83-87  発行年： 2013年02月 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 環境セル透過型電子顕微鏡(E-cell TEM)システムでダイアフラムとして用いるため,プラズマCVDにより直径100μmの穴を有するCuグリッドに非晶質窒化炭素ケイ素を被覆した。被膜をX線光電子分光およびTEMで評価し,その耐圧性も測定した。膜は非晶質かつ200kVで透明であり,チャージアップは観測されなかった。膜は約100kPaまでの耐圧性があった。作製したダイアフラムをE-cell TEMに用いて,反応気体中の金ナノ粒子をその場観察できた。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素化合物 ,  *窒化物 ,  化合物半導体 ,  *非晶質半導体 ,  半導体薄膜 ,  *透過型電子顕微鏡 ,  *プラズマCVD ,  *ダイヤフラム ,  銅 ,  格子 ,  X線光電子スペクトル ,  耐圧性 ,  100-1000keV ,  *ナノ粒子 ,  その場観察 ,  光学顕微鏡法 ,  *炭化物 ,  顕微鏡観察 ,  *試料セル ,  付属装置 ,  *触媒
準シソーラス用語： *金ナノ粒子 ,  *炭窒化ケイ素

分類 (2件)： 電子顕微鏡,イオン顕微鏡  (BD02050B) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズマCVD ,  作製 ,  環境 ,  セル ,  装備 ,  透過型電子顕微鏡 ,  ダイアフラム