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J-GLOBAL ID：201302282781740187   整理番号：13A0023397

室温シリコン量子ドットに基づく単一電子トランジスタのモデリングとその性能に対するエネルギーレベル拡大の影響

Modeling of a Room-Temperature Silicon Quantum Dot-Based Single-Electron Transistor and the Effect of Energy-Level Broadening on Its Performance

著者 (3件)： MIRALAIE M. (Univ. of Tabriz, School of Engineering Emerging Technologies, 51664, Tabriz, IRN) ,  LEILAEIOUN M. (Univ. of Tabriz, School of Engineering Emerging Technologies, 51664, Tabriz, IRN) ,  ABBASIAN K. (Univ. of Tabriz, School of Engineering Emerging Technologies, 51664, Tabriz, IRN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 42  号： 1  ページ： 47-57  発行年： 2013年01月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究で筆者等は,室温で動作するシリコン量子ドット(QD)に基づく単一電子トランジスタ(SETs)のモデリングを行い,QDのエネルギーレベル拡大のSETの性能に対する影響を調べた。最初に筆者等は,三次元で組合せSchroedinger-Poisson方程式を解いて,Si QDsに対するエネルギーレベルと対応する波動関数を得た。それから筆者等は,非等価エネルギーレベル拡大を考慮して,分離したエネルギーレベルに対する各種トンネリング電流レートを示した。それにより,量子Coulombブロッケード領域における対応するトンネリングレートの表現式を導いた。次に,Coulomb振動を持つSi QD SETの相互コンダクタンス特性をシミュレーションし,これまでに調べられている金属に基づくSETsからのそれらの違いを示した。最後に,各種バイアス電圧を与えて,筆者等は温度変化の相互コンダクタンス特性への影響を求めた。Copyright 2012 TMS Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 量子ドット ,  *単一電子トランジスタ ,  モデリング ,  *エネルギー準位 ,  Schroedinger方程式 ,  Poisson方程式 ,  電流 ,  トンネル効果 ,  振動 ,  *単一電子トンネル効果 ,  相互コンダクタンス ,  計算機シミュレーション
準シソーラス用語： *Coulomb振動 ,  エネルギーレベル ,  トンネリング電流

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 室温 ,  シリコン ,  量子ドット ,  単一電子トランジスタ ,  モデリング ,  エネルギーレベル ,  拡大