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J-GLOBAL ID：201302283264878906   整理番号：13A1697975

HgCdTe層中の転位を記述するSchaakeエッチとBensonエッチの比較

Comparison of the Schaake and Benson Etches to Delineate Dislocations in HgCdTe Layers

著者 (8件)： FARRELL S. (George Mason Univ., Dep. of Electrical and Computer Engineering, 22030-4444, Fairfax, VA, USA) ,  RAO Mulpuri V. (George Mason Univ., Dep. of Electrical and Computer Engineering, 22030-4444, Fairfax, VA, USA) ,  BRILL G. (Sensors and Electron Devices Directorate, U.S. Army Res. Lab., 2800 Powder Mill Road, 20783, Adelphi, MD, USA) ,  CHEN Y. (Sensors and Electron Devices Directorate, U.S. Army Res. Lab., 2800 Powder Mill Road, 20783, Adelphi, MD, USA) ,  WIJEWARNASURIYA P. (Sensors and Electron Devices Directorate, U.S. Army Res. Lab., 2800 Powder Mill Road, 20783, Adelphi, MD, USA) ,  DHAR N. (Sensors and Electron Devices Directorate, U.S. Army Res. Lab., 2800 Powder Mill Road, 20783, Adelphi, MD, USA) ,  BENSON J. D. (U.S. Army RDECOM CERDEC Night Vision and Electronic Sensors Directorate, Ft. Belvoir, VA, USA) ,  HARRIS K. (Penn State Electro-Optics Center, 222 Northpointe Blvd., 16229, Freeport, PA, USA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 42  号： 11  ページ： 3097-3102  発行年： 2013年11月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SchaakeとBensonエッチピット密度(EPD)エッチを使って,分子線エピタキシャル成長させた(211)HgCdTe/CdTe/Si層中のエッチピットの形態と分類について調べた。二つのEPDを比較して,形成されたエッチピットには1:1の相関があることが分かった。走査電子顕微鏡法によるエッチピット形状の精密な調査により,両方のエッチを使ってエッチピットの幾つかの区別可能な分類が明らかになることが分かった。熱サイクルアニーリング(TCA)処理を受けた試料は,本研究で定義した分類によりエッチピット数に不均一な低下が見られた。特に,「魚形状」と呼ぶ一種のエッチピットはTCA後完全になくなり,EPD中の全低減の1/3まで説明できる。Copyright 2013 TMS (outside the USA) Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *テルル化カドミウム水銀 ,  *転位【結晶】 ,  エッチング ,  *エッチピット ,  電子顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡 ,  熱サイクル ,  焼なまし ,  MBE成長
準シソーラス用語： HgCdTe ,  アニーリング ,  走査電子顕微鏡法 ,  転位エッチング ,  分子線エピタキシャル成長

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： HgCdTe ,  転位 ,  記述 ,  エッチ