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J-GLOBAL ID：201302283280481307   整理番号：13A0721945

C面4H-SiC上のSiO₂/SiC界面における移動度制約トラップの深準位過渡分光法特性評価

Deep-Level-Transient Spectroscopy Characterization of Mobility-Limiting Traps in SiO₂/SiC interfaces on C-face 4H-SiC

著者 (6件)： HATAKEYAMA T. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN) ,  SHIMIZU T. (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  SUZUKI T. (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NAKABAYASHI Y. (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  OKUMURA H. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN) ,  KIMOTO T. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 740/742  ページ： 477-480  発行年： 2013年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (9件)： 4H-SiC ,  SiO2 ,  SiC ,  界面 ,  移動度 ,  制約 ,  トラップ ,  深準位過渡分光法 ,  特性評価