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J-GLOBAL ID：201302283408471385   整理番号：13A1272001

近接場光ナノリソグラフィーのための高精度動的アラインメント及びギャップ制御

High precision dynamic alignment and gap control for optical near-field nanolithography

著者 (5件)： WEN Xiaolei (School of Mechanical Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47906 and ...) ,  TRAVERSO Luis M. (School of Mechanical Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47906) ,  SRISUNGSITTHISUNTI Pornsak (School of Mechanical Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47906) ,  XU Xianfan (School of Mechanical Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47906) ,  MOON Euclid E. (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, Massachusetts 02139)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 31  号： 4  ページ： 041601-041601-5  発行年： 2013年07月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 平行近接場光ナノリソグラフィーのためのナノメータオーダーのギャップ距離の制御への干渉空間位相イメージング(ISPI)の使用を実証した。近接場光ナノリソグラフィーにおいて,光マスクと基板との間の距離が,数10ナノメータか,それ以内に制御される必要があった。ISPI技術は,光マスク上に作製したチェッカー盤格子から干渉縞を作り出した。これを,マスクと基板表面との間のギャップ距離を決定するのに用いた。このギャッピング技術の感度は,0.15nmに到達した。ISPI及び動的フィードバック制御システムの使用により,マスク及び基板を精密に整列させ,ギャップ距離の変動を6nm以下に保って,平行ナノリソグラフィーを実現できた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *リソグラフィー ,  *アラインメント ,  マスク ,  基板 ,  格子 ,  干渉縞 ,  フィードバック制御 ,  *近接場 ,  レーザリソグラフィー ,  パターン形成 ,  干渉測定
準シソーラス用語： *ナノリソグラフィー ,  位相イメージング

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 近接場光 ,  ナノリソグラフィー ,  動的アラインメント ,  ギャップ