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J-GLOBAL ID：201302283438378061   整理番号：13A0759008

単結晶β-Ga₂O₃の(010)基板を用いて作製されたGa₂O₃のSchottky障壁ダイオード

Ga₂O₃ Schottky Barrier Diodes Fabricated by Using Single-Crystal β-Ga₂O₃ (010) Substrates

著者 (7件)： SASAKI Kohei (Tamura Corp., Sayama, JPN) ,  SASAKI Kohei (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  HIGASHIWAKI Masataka (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  HIGASHIWAKI Masataka (JST-PRESTO, Tokyo, JPN) ,  KURAMATA Akito (Tamura Corp., Sayama, JPN) ,  MASUI Takekazu (Koha Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  YAMAKOSHI Shigenobu (Tamura Corp., Sayama, JPN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 34  号： 4  ページ： 493-495  発行年： 2013年04月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本レターでは,浮遊溶解法によって作られた単結晶β-Ga₂O₃の(010)基板を使用して作製したGa₂O₃のSchottky障壁ダイオードについて報告する。単純な素子構造とプロセス技術を使用することにより,このデバイスは1.0に近い優れた理想因子と約150Vの適度に高い逆降伏電圧を示した。Pt/β-Ga₂O₃の界面のSchottky障壁の高さは1.3~1.5eVと推定された。これらの結果はGa₂O₃基板の高い結晶品質に起因する可能性があり,将来用途のためのGa₂O₃パワーデバイスの大きな潜在能力を示す。他の化合物半導体の場合のように,それはまた,Al₂O₃,In₂O₃およびそれらの合金を用いたGa₂O₃のヘテロ構造の可能性を含む。

シソーラス用語： *Schottky障壁ダイオード ,  レビテーション溶融 ,  *単結晶 ,  素子構造 ,  半導体プロセス ,  因子 ,  電圧 ,  品質 ,  アルミナ ,  酸化インジウム ,  *酸化ガリウム ,  Schottky障壁 ,  Schottky障壁高さ ,  ヘテロ構造 ,  結晶品質 ,  理想因子 ,  絶縁破壊電圧
準シソーラス用語： Al2O3 ,  降伏電圧 ,  浮遊溶解法

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単結晶 ,  β-Ga2O3 ,  作製 ,  Ga2O3 ,  Schottky障壁ダイオード