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J-GLOBAL ID：201302283850729650   整理番号：13A1077173

カーボンマスクを用いたGaN両極性同時成長プロセス

The process of GaN double polarity selective area growth by using carbon mask

著者 (4件)： 藤田陽平 (静岡大 大学院工学研究科) ,  高野泰 (静岡大 工) ,  井上翼 (静岡大 工) ,  中野貴之 (静岡大 工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 113  号： 40(CPM2013 1-21)  ページ： 13-17  発行年： 2013年05月09日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 非線形光学に用いられるGaNは,結晶格子の反転した擬似位相整合を用いている。我々はこれらの結晶構造の作製方法として,カーボンマスクを用いたMOVPE法での両極性同時成長プロセスを提案し,その方法により周期的極性反転GaN薄膜を作製した。カーボンマスクによる基板窒化の選択処理により従来の結晶成長方法と差異のない成長方法にて両極性同時成長を実現した。本研究では,窒化条件やマスク除去条件の最適化により両極性同時成長を実現した。(著者抄録)

シソーラス用語： 炭素 ,  マスク ,  *窒化ガリウム ,  極性 ,  *MOCVD ,  非線形光学 ,  位相整合 ,  周期構造 ,  *薄膜成長 ,  結晶構造 ,  擬似位相整合 ,  両極性
準シソーラス用語： *両極性同時成長

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： カーボン ,  マスク ,  GaN ,  両極性 ,  成長 ,  プロセス