研究者
J-GLOBAL ID:200901030662149513   更新日: 2024年02月01日

中野 貴之

ナカノ タカユキ | Takayuki Nakano
所属機関・部署:
職名: 准教授
ホームページURL (1件): https://wwp.shizuoka.ac.jp/nakano/
研究分野 (4件): 結晶工学 ,  反応工学、プロセスシステム工学 ,  半導体、光物性、原子物理 ,  電気電子材料工学
研究キーワード (6件): GaN ,  放射線検出 ,  結晶成長 ,  化合物半導体 ,  III族窒化物半導体 ,  半導体材料
競争的資金等の研究課題 (18件):
  • 2023 - 2027 新奇材料エピタキシャル融合による窒化物半導体の機能拡張
  • 2023 - 2027 BGaN検出器を用いた疑似直接検出法による超高解像中性子イメージング技術開発
  • 2023 - 2026 ダイヤモンド放射線検出器による高感度中性子検出の原理解明
  • 2023 - 2024 Influence of Device Structure on Detection Characteristics in BGaN Detectors
  • 2022 - 2024 高温環境下で動作可能なBGaN中性子半導体検出器の開発
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論文 (52件):
  • Kento Tabata, Yuga Kono, Ryosuke Goto, Yuya Abe, Takayuki Nakano, Hisashi Sugime, Yoku Inoue. Catalyst Dynamics in the Growth of High-Density CNT Forests; Fine Control of the Mass Density of Forest by Colloidal Catalyst Nanoparticles. The Journal of Physical Chemistry. 2022. 48. 20448-20455
  • 三宅拓, 中川央也, 増澤智昭, 山田貴壽, 中野貴之, 都木克之, 青木徹, 三村秀典. ホウ素ドープ多結晶ダイヤモンドを用いた中性子検出. ニューダイアモンド. 2022. 38. 4. 28-30
  • 中野貴之. 新奇中性子半導体検出器実現に向けたIII族窒化物半導体の研究. 応用物理. 2022. 91. 10. 599-605
  • Hiroki Ishihara, Keiya Shimada, Soshi Umeda, Naoki Yokoyama, Hiroto Honda, Kazuhiro Kurose, Yoshimasa Kawata, Atsushi Sugita, Yoku Inoue, Masahiro Uemukai, et al. Fabrication and evaluation of rib-waveguide-type wavelength conversion devices using GaN-QPM crystals. Japanese Journal of Applied Physics. 2022. 61. SK. SK1020-SK1020
  • Toshiya Kinoshita, Motoyuki Karita, Norikazu Chikyu, Takayuki Nakano, Yoku Inoue. Enhancement of catalytic activity by addition of chlorine in chemical vapor deposition growth of carbon nanotube forests. Carbon. 2022. 196. 391-400
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MISC (51件):
特許 (18件):
  • 中性子半導体検出器
  • 中性子半導体検出構造、中性子半導体検出器、及び中性子半導体検出構造の製造方法
  • 開口基板
  • カーボンナノチューブフォレストを備える紡績源部材の製造方法
  • CNTフォレスト、CNTフォレストの製造方法、紡績源部材、構造体および構造体の製造方法
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講演・口頭発表等 (439件):
  • Study of BGaN semiconductor for novel neutron semiconducting detector
    (The 30th International Display Workshops (IDW’23) 2023)
  • Development of BGaN diodes with high radiation tolerance for nuclear instrumentation system
    (International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS) 2023)
  • 金属基板上へ合成した高密度CNTフォレストの電気伝導メカニズム
    (第50回炭素材料学会年会 2023)
  • Fabrication and characterization of BGaN diodes for nuclear instrumentation system
    (The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023)
  • Optical Characteristics of BGaN Films Using Oblique Polishing
    (The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023)
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学歴 (6件):
  • - 2006 東京大学 工学系研究科 マテリアル工学専攻
  • - 2006 東京大学
  • - 2001 東京大学 工学系研究科 金属工学専攻
  • - 2001 東京大学
  • - 1999 京都大学 工学部 物理工学科
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学位 (1件):
  • 博士(工学) (東京大学)
委員歴 (2件):
  • 2018/11 - 2020/06 特定非営利活動法人日本フォトニクス協議会 先進フォトニクス技術研究会委員
  • 2018/04 - 2020/03 応用物理学会 放射線分科会幹事
受賞 (3件):
  • 2022/08 - International Conference on Science and Technology of Emerging Materials 2022 (STEMa2022) Best presentation award STEMa 2022 Study of Novel Neutron Detector Using Vertical Type BGaN Semiconductor
  • 2022/08 - International Conference on Science and Technology of Emerging Materials 2022 (STEMa2022) Best presantation award STEMa 2022 Study of Novel Neutron Detector Using Vertical Type BGaN Semiconductor
  • 2008/11 - 高柳研究奨励賞 (課題名:有機金属気相エピタキシー法を用いた結晶成長表面およびヘテロ界面形成に関する研究)
所属学会 (4件):
応用物理学会 ,  日本原子力学会 ,  The Materials Research Society ,  日本結晶成長学会
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