文献

J-GLOBAL ID：201302283927453025   整理番号：13A1424105

低転位GaN基板上の低抵抗・高耐圧GaNダイオード

Low On-Resistance and High Breakdown Voltage GaN SBD on Low Dislocation Density GaN Substrates

著者 (5件)： 住吉和英 (住友電気工業) ,  岡田政也 (住友電気工業) ,  上野昌紀 (住友電気工業) ,  木山誠 (住友電気工業) ,  中村孝夫 (住友電気工業)
資料名： SEIテクニカルレビュー  (住友電気)
号： 183  ページ： 120-124  発行年： 2013年07月 
JST資料番号： F0314A  ISSN： 1343-4330  CODEN： SUDEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GaNはSiCとともにその高い性能指数によりパワーデバイス用途の半導体材料として期待されている。縦型GaNショットキーバリアダイオード(SBD)をGaN基板上に製作した。SIMS分析で評価不能の不純物濃度をフォトルミネセンス(PL)評価を用いて不純物を低減する方法により,GaN基板上に優れた高電子移動度930cm²/Vsのn-GaNドリフト層を得た。この縦型GaNSBDの特性は,耐圧1100V以上,オン抵抗0.71mΩcm²で,性能指数は1.7GW/cm²で,GaNおよびSiCのSBDで報告されている中で最高の数値である。順方向電流6A時の電圧1.46Vで逆方向耐圧600V,1.1×1.1mm²電極サイズSBDを試作し,パワーデバイスへの応用可能性を実証した。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *Schottky障壁ダイオード ,  半導体素子 ,  二次イオン質量分析 ,  光ルミネセンス ,  キャリア移動度 ,  *絶縁耐力 ,  *オン抵抗
準シソーラス用語： パワーデバイス ,  *高耐圧 ,  電子移動度

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

引用文献 (12件)：

• (1)S.Hashimoto, Y. Yoshizumi, T. Tanabe, M. Kiyama, J. Crystal Growth 298 (2007) 871
• (2)堀井 拓、宮崎富仁、斎藤 雄、橋本 信、田辺達也、木山 誠、SEIテクニカルレビュー第174号、p.p.77-80 (2009)
• (3)J. Neugebauer and C. G. Van de Walle: Appl. Phys. Lett.69 (1996) 503
• (4)C. H. Seager, A. F, Wright, J, Yu, and W. Gotz: J. Appl. Phys. 92 (2002) 6553
• (5)R. Armitage, W. Hong, Q. Yang, H. Feick, J. Gebauer, and E. R. Weber, S. Hautakangas, and K, Saarinen: Appl. Phys. Lett.82 (2003) 3457

タイトルに関連する用語 (5件)： 転位 ,  GaN ,  低抵抗 ,  高耐圧 ,  ダイオード