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J-GLOBAL ID：201302285374550240   整理番号：13A1386236

金属有機化学気相堆積で成長したGaN/MgAl₂O₄からの陰極線ルミネセンスおよび電界放出: 基板配向依存性

Cathodoluminescence and field emission from GaN/MgAl₂O₄ grown by metalorganic chemical vapor deposition: substrate-orientation dependence

著者 (7件)： HE Gang (Anhui Univ., Hefei, CHN) ,  CHIKYOW Toyohiro (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  CHEN Xiaoshuang (Anhui Univ., Hefei, CHN) ,  CHEN Xiaoshuang (National Lab. for Infrared Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  CHEN Hanshuang (Anhui Univ., Hefei, CHN) ,  LIU Jiangwei (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  SUN Zhaoqi (Anhui Univ., Hefei, CHN)
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 1  号： 2  ページ： 238-245  発行年： 2013年01月14日 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピネル(MgAl₂O₄)の(111)および(100)面基板上に金属有機化学気相堆積(MOCVD)法で窒化ガリウム(GaN)膜を成長し,陰極線ルミネセンス(CL)および電界放出(FE)特性の基板結晶面による相違を比較した。両基板共,1.8eV(バンドギャップ)および3.2eV(ドナーアクセプタ再結合)にCLを示した。(111)基板でGaN膜厚を増加するとFEのターンオン電場が減少し,235μmでは4.29Vμm^-1(電流密度10nAcm^-2)と顕著に小さい値を示して,22h無変化(搖動5%)で継続する放出が得られた。(100)基板ではターンオン電場は約6Vμm^-1であった。高い電場は平滑な表面と大きな仕事関数に起因すると推定した。良好なFE特性は冷陰極線源として有用と考えられる。

シソーラス用語： *MOCVD ,  *窒化ガリウム ,  結晶面 ,  *陰極線ルミネセンス ,  *電界放出 ,  バンドギャップ ,  再結合放射 ,  電場 ,  電流密度 ,  仕事関数 ,  カソード ,  顕微鏡観察 ,  X線回折分析 ,  X線光電子分光法 ,  走査電子顕微鏡 ,  電流電圧特性 ,  依存性 ,  Fowler-Nordheimトンネリング ,  *結晶成長 ,  基板 ,  *アルミン酸塩 ,  *マグネシウム化合物 ,  スピネル型結晶 ,  ドナー-アクセプタ対 ,  キャリア再結合 ,  膜厚
準シソーラス用語： FE-SEM ,  ターンオン電場 ,  原子間力顕微鏡観察 ,  電場依存性 ,  *半導体結晶成長 ,  冷陰極 ,  *アルミン酸マグネシウム

分類 (3件)： 電子源,イオン源  (BD02020U) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (9件)： 有機化学 ,  気相堆積 ,  成長 ,  GaN ,  MgAl2O4 ,  陰極線ルミネセンス ,  電界放出 ,  配向 ,  依存性