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J-GLOBAL ID:201302285822833186   整理番号:13A1227608

微細ピッチフリップチップ組立の異なる熱履歴でのSn-Ag-Cuはんだ合金金属間化合物成長の比較

Comparison of Sn-Ag-Cu Solder Alloy Intermetallic Compound Growth Under Different Thermal Excursions for Fine-PitchFlip-Chip Assemblies
著者 (6件):
資料名:
巻: 42  号:ページ: 2724-2731  発行年: 2013年08月 
JST資料番号: D0277B  ISSN: 0361-5235  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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100μmピッチフリップチップ組立の熱衝撃実験を使って,Cuパッド/Sn-Ag-Cuはんだ界面とSn-Ag-Cuはんだ/Niパッド界面における金属間化合物(IMC)進展について検討した。実験の結果,はんだ接合の低いスタンドオフ高さと高い熱機械的応力が,熱衝撃による界面IMC微細構造進展に大きな役割を果たし,パッド金属膜の強い交差反応が金属間化合物成長で明らかであることが分かった。さらに,熱エージングと熱衝撃中のIMC成長を比較した結果,熱衝撃はIMC成長を促進し,熱エージング実験に基づく動力学モデルは熱衝撃実験でのIMC成長を過小予測することが分かった。そこで,熱衝撃実験を使って(Cu,Ni)6Sn5の成長に対する新しい拡散動力学パラメータを決め,IMC層中のCu拡散係数を計算し,熱衝撃で0.2028μm2/hとなった。有限要素モデルでも,はんだ応力は熱衝撃で高く,これによりIMC成長は熱衝撃サイクルで早く大きく,熱エージングの反対であることが分かった。Copyright 2013 TMS Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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電気接点 

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