MIURA K. について
Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd., 1, Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama 244-8588, JPN について
IGUCHI Y. について
Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd., 1, Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama 244-8588, JPN について
TSUBOKURA M. について
Analysis Technol. Res. Center, Sumitomo Electric Industries, Ltd., 1-1-1, Koyakita, Itami, Hyogo 664-0016, JPN について
KAWAMURA Y. について
Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture Univ., 1-2 Gakuen-cho, Sakai, Osaka 599-8570, JPN について
Journal of Applied Physics について
ヒ化ガリウムインジウム について
アンチモン化物 について
ガリウム化合物 について
ヒ化物 について
化合物半導体 について
人工超格子 について
MBE成長 について
温度 について
フラックス【流束】 について
結晶度 について
X線回折 について
光ルミネセンス について
ヒ化アンチモン化ガリウム について
成長温度 について
半導体薄膜 について
高品質 について
GaAsSb について
タイプ について
InGaAs について
超格子構造 について
成長 について