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J-GLOBAL ID：201302286353185166   整理番号：13A1310571

シリコン量子ドット中間バンド太陽電池の現実的量子設計

Realistic quantum design of silicon quantum dot intermediate band solar cells

著者 (9件)： HU Weiguo (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  HU Weiguo (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  IGARASHI Makoto (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  IGARASHI Makoto (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  LEE Ming-Yi (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LI Yiming (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  LI Yiming (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  SAMUKAWA Seiji (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  SAMUKAWA Seiji (JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 24  号： 26  ページ： 265401,1-8  発行年： 2013年07月05日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si中間バンド太陽電池用の量子設計を検討するため,トップダウンナノ作製プロセスを開発し高度周期性Siナノディスク超格子を作製した。現実的な量子ドット超格子構造をもとに3D有限要素法を用いたプログラムを開発し,光学的電気的性質を論じ,中間バンド太陽電池動作の計算を行った。実験とシミュレーションの結果から,価電子帯-伝導体間のミニバンド形成が光学的電気的収集を増進させることを明らかにした。中間バンド最適設計の指針とするため,詳細な電子構造と変換効率を調べた。ここで扱ったSiナノディスク超格子太陽電池は最大変換効率が50.3%(予測値)となり,複雑なSiタンデム型太陽電池に比べ有望である。

シソーラス用語： *バンド構造 ,  *ナノ構造 ,  超格子 ,  *太陽電池 ,  半導体プロセス ,  電子構造 ,  効率 ,  二光子遷移 ,  量子ドット ,  シミュレーションモデル
準シソーラス用語： *シリコン量子ドット超格子型太陽電池 ,  *ナノディスク ,  ミニバンド ,  *中間バンド ,  半導体ナノプロセス ,  変換効率

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  量子ドット ,  中間バンド太陽電池 ,  量子 ,  設計