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J-GLOBAL ID:201302286458936701   整理番号:13A1936935

エピタキシャル成長したIII-V族半導体合金中の組成変調の構造解析

Structure Analysis of Composition Modulation in Epitaxially-Grown III-V Semiconductor Alloys
著者 (5件):
資料名:
巻: 52  号: 11,Issue 1  ページ: 110120.1-110120.6  発行年: 2013年11月25日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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エピタキシャル成長薄膜の一部で組成変調が自然に形成されることを報告した。これらの材料の構造評価は,正確にナノ構造を制御するために必要である。ここで,エピタキシャル成長したIII-V族半導体合金を準備しそして,回折結晶学と電子顕微鏡によって原子構造を評価した。結果として,以下の量子井戸構造が自然発生的に形成されることを見つけた。1)~1nm変調周期の極超短周期横向組成変調(LCM);2)異なる周期(~4と~25nm)の2つの変調構造からなる複雑な垂直組成変調(VCM)構造。前のLCM構造は,ナノスケール相分離を通して成長表面でつくられ,後のVCM構造でのより短い周期変調はチャンバ内のアニオン・フラックスの不均質分布を通して基板を回転させることによって誘導される。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体の結晶成長 

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