抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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不純物フリー混晶化(IFVD)技術を開発し,半導体レーザの同一ウエハ面内で選択的に窓領域とゲイン領域のバンドギャップをコントロールすることに成功した。さらに,その技術を980nmシングルモード半導体レーザに適用し,信頼性を評価するためのエージング試験を行った。その結果,チップ出力は,25°CのCW動作において,1320mWに達し,1200mW 86°Cの4000時間通電試験において故障が見られないことを確認した。さらに,モジュール組立を行った後のファイバ出力は1000mWに達した。このように,端面劣化対策としてIFVD技術を用いた窓構造付きレーザの作製に成功し,半導体レーザの高出力かつ高信頼性化に有効であることを確認した。