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J-GLOBAL ID：201302287503323054   整理番号：13A0081284

溶液プロセスによるパワーインダクタ用軟磁性Zn-Co置換フェライト膜の作製

Deposition of Zn-Co substituted ferrite films by solution process for Planar inductor

著者 (9件)： 渡辺哲朗 (北里大) ,  丑田公規 (北里大) ,  勝又健一 (東京工大) ,  阿部正紀 (東京工大) ,  岡田清 (東京工大) ,  松下伸広 (東京工大) ,  萩田和洋 (信州大) ,  曽根原誠 (信州大) ,  佐藤敏郎 (信州大)
資料名： 電気学会マグネティックス研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： MAG-12  号： 169-180  ページ： 45-50  発行年： 2012年12月20日 
JST資料番号： Z0924A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 集積化電源用インダクタの磁心材料としてのフェライト膜研究の一環として,本論では,スピンスプレー法により,Zn置換およびCo置換を行ったスピネルフェライト膜を作製し,それぞれの結晶構造,膜断面積構造や飽和磁化,保磁力,透磁率特性などを評価した。Zn置換量x=0.33において,最大の飽和磁化値であるM_S=620emu/cm³が得られた。軟磁性化のため,Coイオンの微量置換を行った結果,置換量y=0.02において最小保磁力H_C=11Oeを得た。ポリイミド基板上に作製したy=0.02の膜では,透磁率実数成分が37で,共鳴周波数は700MHzであった。

シソーラス用語： *インダクタ ,  *軟磁性材料 ,  *フェライト ,  薄膜 ,  磁心 ,  電源装置 ,  スピネル型結晶 ,  結晶構造 ,  飽和磁化 ,  保磁力 ,  透磁率 ,  亜鉛 ,  コバルト ,  添加物効果 ,  堆積速度
準シソーラス用語： 電力インダクター

分類 (1件)： 磁性材料  (NA04040H)

引用文献 (17件)：

• (1) A. K. Subramani, Journal of Materials Chemistry, 19, 5510-5517 (2009).
• (2) S. Okazaki, The Institute of Electrical Engineers of Japan, MAG-09-220 (2008).
• (3)永田穣,柳井久義:新版集積化回路工学(1)プロセス・デバイス技術編,(コロナ社,東京),新版,pp.8-11.
• (4)日経エレクトニクス,906,pp.82-93,(日経Business Publication社,東京,2005).
• (5) G. Schrom, P. Hazucha, J. Hahn, V. Kursun, D. Gardner, S. Narendra, T. Karnik, and V. De "Feasibility of Monolithic and 3D-Stacked DC-DC Converters for Microprocessors in 90nm Technology Generation", Proc. Int. Symp. on Low Power Electronics and Design 2004, California, 2004, p. 263 (2004).

タイトルに関連する用語 (10件)： 溶液 ,  プロセス ,  パワー ,  インダクタ ,  軟磁性 ,  Zn ,  CO ,  置換 ,  フェライト ,  作製