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J-GLOBAL ID：200902287977073382   整理番号：09A0915256

高周波への応用のための新規溶液法による電子部品へのMnZn-フェライト膜の結合

Coupling of MnZn-ferrite films onto electronic components by a novel solution process for high frequency applications

著者 (8件)： AILOOR Subramani K. (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  TANIGUCHI Takaaki (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KONDO Koichi (NEC Tokin Corp., Miyagi, JPN) ,  TADA Masaru (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  NAKAGAWA Takashi (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  ABE Masanori (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  YOSHIMURA Masahiro (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  MATSUSHITA Nobuhiro (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Journal of Materials Chemistry  (Journal of Materials Chemistry)
巻： 19  号： 31  ページ： 5510-5517  発行年： 2009年08月21日 
JST資料番号： W0204A  ISSN： 0959-9428  CODEN： JMACEP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プリント回路基板部品へのフェライト膜の直接析出によって結合型ノイズ抑制材を調製する新規な方法を示した。ICチップとポリイミド基板の上に結晶性Mn_xZn_yFe_3-x-yO₄膜を調製した。MCl₂(M=Mn,Zn,Fe)反応溶液と酸化溶液(pH緩衝剤+酸化剤)を回転円板上で90°Cに保たれた基板に噴霧した。調製した膜は高結晶性でアニーリングを必要としない。膜はGHz領域で磁気損失(透磁率の虚数部分)が大きく,リフローはんだ付け過程において高い耐熱性を示す。固有抵抗は2×10⁵Ωsq^-1で結合型ノイズ抑制材としての低限界である。厚み6.7μmのMnZnフェライト膜の10GHzでのノイズ抑制は50%以上で,市販の複合シートノイズ抑制材の50μmの厚みの性能に相当する。

シソーラス用語： *フェライト ,  *酸化マンガン ,  *酸化亜鉛 ,  *絶縁膜 ,  *雑音低減 ,  プリント基板 ,  電子部品 ,  半導体チップ ,  ポリイミド ,  *薄膜成長 ,  塩化マンガン ,  塩化亜鉛 ,  塩化鉄 ,  磁損 ,  耐熱性 ,  リフロソルダリング ,  電気抵抗率 ,  HF【周波数】 ,  酸化剤 ,  結晶構造
準シソーラス用語： *絶縁性薄膜 ,  *ノイズ減少 ,  プリント回路基板 ,  チップ【IC】 ,  薄膜形成 ,  磁気損失 ,  リフローはんだ付け ,  固有抵抗 ,  高周波 ,  結晶性構造

分類 (3件)： 酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  プリント回路  (NA05040O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高周波 ,  応用 ,  溶液 ,  電子部品 ,  フェライト