LEE Kyu-Hyoung について
Samsung Advanced Inst. of Technol., Advanced Materials Res. Center, 446-712, Yong-In, KOR について
HWANG Sungwoo について
Samsung Advanced Inst. of Technol., Advanced Materials Res. Center, 446-712, Yong-In, KOR について
RYU Byungki について
Samsung Advanced Inst. of Technol., Advanced Materials Res. Center, 446-712, Yong-In, KOR について
AHN Kyunghan について
Samsung Advanced Inst. of Technol., Advanced Materials Res. Center, 446-712, Yong-In, KOR について
ROH Jongwook について
Samsung Advanced Inst. of Technol., Advanced Materials Res. Center, 446-712, Yong-In, KOR について
YANG Daejin について
Samsung Advanced Inst. of Technol., Advanced Materials Res. Center, 446-712, Yong-In, KOR について
LEE Sang-Mock について
Samsung Advanced Inst. of Technol., Advanced Materials Res. Center, 446-712, Yong-In, KOR について
KIM Hyunsik について
Samsung Advanced Inst. of Technol., Advanced Materials Res. Center, 446-712, Yong-In, KOR について
KIM Hyunsik について
California Inst. of Technol., Dep. of Materials Sci., 91125, Pasadena, CA, USA について
KIM Sang-Il について
Samsung Advanced Inst. of Technol., Advanced Materials Res. Center, 446-712, Yong-In, KOR について
Journal of Electronic Materials について
熱電材料 について
アンチモン化合物 について
テルル化物 について
ビスマス化合物 について
ドーピング について
電気特性 について
インジウム について
ガリウム について
散乱 について
熱伝導率 について
力率 について
Ga について
In について
テルル化アンチモンビスマス について
フォノン散乱 について
格子熱伝導率 について
点欠陥散乱 について
熱電特性 について
熱電デバイス について
Ga について
ドーピング について
強化 について