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J-GLOBAL ID:201302287998505773   整理番号:13A1086424

InとGaのドーピングによるBi0.4Sb1.6Te3の熱電性能の強化

Enhancement of the Thermoelectric Performance of Bi0.4Sb1.6Te3 Alloys by In and Ga Doping
著者 (10件):
資料名:
巻: 42  号:ページ: 1617-1621  発行年: 2013年07月 
JST資料番号: D0277B  ISSN: 0361-5235  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本稿では,InとGaをドープしたBi0.4Sb1.6Te3化合物多結晶の熱電的性能指数の改善について報告した。InまたはGaを制御しながらドープすることで,強い点欠陥のフォノン散乱により格子熱伝導率が効果的に減少した。他方,力率は意味があるほどには変化しなかった。これは,ドープしていない化合物と,InまたはGaをドープした化合物の間には,価電子帯上端近くの状態密度が類似していることによる。これらの相乗効果によって,原子百分率で0.5%のInをドープしたBi0.4Sb1.6Te3化合物で,320Kで1.2という高いZTを得た。Copyright 2012 TMS Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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熱電デバイス 
タイトルに関連する用語 (3件):
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